Press release
Communiqué de presse
Comunicato stampa
新闻稿 / 新聞稿
プレスリリース
보도자료

PR N° : C3283C



STMicroelectronics dévoile une technologie de puissance en carbure de
silicium de nouvelle génération destinée aux onduleurs de traction des
futurs véhicules électriques

• Plus petits et plus efficaces, ces produits dont la production en volume augmentera
jusqu’en 2025 dans les catégories 750 V et 1 200 V apporteront les avantages du carbure
de silicium aux véhicules électriques de taille moyenne et compacts, en plus des modèles
haut de gamme.
• ST prévoit d’introduire de nombreuses innovations dans ses technologies en carbure de
silicium jusqu’en 2027, parmi lesquelles une innovation radicale.

Genève (Suisse), le 24 septembre 2024 — STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial des
semiconducteurs dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, annonce
l’introduction de sa quatrième génération de MOSFET STPOWER en technologie carbure de silicium. La
technologie de 4ème génération apporte de nouvelles références en matière d’efficacité énergétique, de
densité de puissance et de robustesse. Tout en répondant aux besoins des marchés de l’automobile et
de l’industriel, cette nouvelle technologie est particulièrement optimisée pour les onduleurs de traction, le
composant clé du groupe motopropulseur des véhicules électriques (VE). La Société prévoit d’introduire
d’autres innovations avancées en technologie SiC jusqu’en 2027 conformément à ses engagements en
faveur de l’innovation.

« STMicroelectronics s’engage à guider l’avenir de la mobilité électrique et de l’efficacité industrielle avec
sa technologie de carbure de silicium de pointe. Nous continuons à faire progresser la technologie des
MOSFET en SiC en apportant des innovations au niveau des composants, des boîtiers avancés et des
modules de puissance », a déclaré Marco Cassis, président du Groupe Produits analogiques, Produits
Discrets & de puissance, MEMS et Capteurs (APMS) de STMicroelectronics. « Avec notre stratégie de
fabrication verticalement intégrée, nous proposons des technologies SiC de haute performance à la pointe
de l’industrie et une chaine d’approvisionnement résiliente pour répondre aux besoins croissants de nos
clients et contribuer à un avenir plus durable. »

En tant que leader sur le marché des MOSFET de puissance en carbure de silicium, ST favorise
l’innovation afin de tirer parti du rendement accru et de la densité de puissance supérieure du SiC par
rapport au silicium. Cette dernière génération de composants SiC est conçue pour bénéficier aux futures
plateformes d’onduleurs de traction des VE avec de nouvelles avancées en matière de taille et
d’économies d’énergie potentielles. Alors que le marché des VE poursuit sa croissance, des défis doivent
encore être relevés pour atteindre une adoption généralisée et les constructeurs automobiles cherchent
à proposer des véhicules électriques à un coût plus abordable. Les systèmes de commande de bus 800 V
en SiC des VE ont permis une charge plus rapide et une réduction du poids des véhicules électriques,
permettant aux constructeurs de produire des véhicules dont les modèles haut de gamme affichent une
plus grande autonomie. Les nouveaux MOSFET SiC de ST, qui seront disponibles dans les catégories
750 V et 1 200 V, amélioreront l’efficacité énergétique et les performances des onduleurs de traction pour
bus 400 V et 800 V, mettant ainsi les avantages du carbure de silicium à la portée des VE de taille
moyenne et compacts, deux segments clés pour accélérer leur adoption sur le marché de masse. La
technologie SiC de nouvelle génération convient également à un large éventail d’applications industrielles
de forte puissance, comme les onduleurs solaires, les solutions de stockage d’énergie et centres de
données, améliorant ainsi de manière significative l’efficacité énergétique de ces applications en plein
essor.

Disponibilité
ST a achevé la qualification de la catégorie 750 V de la plateforme technologique SiC de 4ème génération
et prévoit de finaliser la qualification de la catégorie 1 200 V au cours du premier trimestre 2025. La
disponibilité commerciale des composants dont la tension nominale est de 750 V et 1 200 V suivra,
permettant aux concepteurs de réaliser des applications fonctionnant depuis des tensions standards en
courant alternatif jusqu’aux hautes tensions de batteries et chargeurs pour VE.

Cas d’utilisation
Par rapport aux solutions en silicium, les MOSFET SiC de quatrième génération de ST apportent plusieurs
avantages : des composants plus compacts et au rendement énergétique accru, un poids réduit et une
autonomie supérieure, autant d’atouts essentiels pour l’adoption généralisée des VE et les principaux
fabricants de VE sont engagés avec ST pour introduire la technologie SiC de 4ème génération dans leurs
véhicules, améliorant les performances et le rendement énergétique. Si les onduleurs de traction des VE
constituent leur principale application, les MOSFET SiC de 4ème génération de ST conviennent également
aux commandes de moteurs industriels de forte puissance qui bénéficient de leur robustesse et de leurs
performances de commutation. Résultat, les commandes de moteurs affichent une efficacité et une
fiabilité accrues, ainsi qu’une consommation d’énergie et des coûts d’exploitation réduits dans les
environnements industriels. Dans les applications d’énergie renouvelable, les MOSFET SiC de 4ème
génération améliorent l’efficacité des onduleurs solaires et des systèmes de stockage d’énergie,
contribuant à des solutions énergétiques plus durables et plus rentables. De plus, ces MOSFET SiC
peuvent être utilisés dans les unités d’alimentation pour les centres de données de serveurs pour l’IA où
leur haute efficacité et leur taille compacte sont cruciaux pour répondre aux importantes demandes en
matière d’énergie et aux défis de gestion thermique.

Feuille de route
Pour accélérer le développement des composants de puissance en carbure de silicium au travers de sa
stratégie de fabrication intégrée verticalement, ST développe en parallèle plusieurs innovations
technologiques en SiC afin de faire progresser les technologies de puissance au cours des trois
prochaines années. La cinquième génération de composants de puissance SiC de ST sera dotée d’une
technologie innovante à haute densité de puissance basée sur une structure planaire. ST développe en
même temps une innovation radicale qui promet une valeur de résistance à l’état passant drain-source
RDS(on) exceptionnelle à des températures élevées, ainsi qu'une réduction supplémentaire de cette
résistance, en comparaison avec des technologies SiC existantes.

ST participera prochainement à l’ICSCRM 2024, la conférence scientifique et industrielle annuelle
consacrée aux dernières réalisations dans le domaine du carbure de silicium et autres technologies
microélectroniques à large bande interdite (WBG). L’évènement, qui se tiendra du 29 septembre au 4
octobre 2024 à Raleigh (Caroline du Nord/Etats-Unis), comprendra des présentations de ST et une
conférence industrielle sur le thème « Environnement industriel à haut volume pour technologies de pointe
dans le domaine du SiC ». Pour en savoir plus, cliquez ici : ICSCRM 2024 - STMicroelectronics.

Note technique à l’attention des rédacteurs
Les MOSFET en carbure de silicium de quatrième génération de STMicroelectronics marquent une
avancée significative dans la technologie de conversion d’énergie par rapport aux générations
précédentes. Ces composants sont conçus pour offrir des performances supérieures et de la robustesse
permettant de répondre aux exigences rigoureuses des onduleurs de traction qui équiperont les futurs
véhicules électriques. Les MOSFET SiC de quatrième génération se caractérisent par une résistance à
l’état passant drain-source RDS(on) mesurée nettement inférieure par rapport aux générations précédentes,
minimisant les pertes de conduction et améliorant l’efficacité globale du système. Ces MOSFET affichent
des vitesses de commutation plus rapides, ce qui se traduit par des pertes de commutation plus basses,
un paramètre crucial pour les applications à haute fréquence, et permet de réaliser des convertisseurs de
puissance plus compacts et efficaces. La technologie de quatrième génération se démarque par sa
robustesse accrue, supportant des conditions de polarisation dynamique inverse (DRB) allant au-delà de
la norme automobile AQG324, avec pour résultat un fonctionnement fiable dans des conditions difficiles.

Avec sa quatrième génération, ST continue de fournir un excellent coefficient de mérite RDS(on) x surface
de la puce pour garantir une tenue en courant élevée avec des pertes minimales. La taille moyenne des
composants de quatrième génération est 12 à 15 % inférieure à celle des composants de 3ème génération,
considérant une résistance RDS(on) à 25 degrés Celsius, ce qui permet de concevoir des convertisseurs de
puissance plus compacts, d’économiser l’espace occupé et de réduire le coût des systèmes.
L’amélioration de la densité de puissance de ces composants contribue au développement de
convertisseurs et d’onduleurs de puissance plus compacts et plus efficaces, deux critères essentiels pour
les applications automobiles et industrielles. De plus, ces caractéristiques sont particulièrement
intéressantes dans les alimentations utilisées dans les centres de données de serveurs pour l’intelligence
artificielle où l’espace et l’efficacité sont des facteurs critiques.

En tant que leader de l’industrie dans cette technologie, ST a déjà livré des composants STPOWER SiC
qui ont été intégrés dans plus de cinq millions de voitures particulières à travers le monde ; utilisés dans
différentes applications des VE dont les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués (OBC), les
convertisseurs continu-continu, les bornes de recharge et compresseurs électriques, ces circuits
améliorent de manière significative la performance, l’efficacité et l’autonomie des véhicules à énergie
nouvelle (NEV). Dans le domaine du carbure de silicium, la stratégie de ST, fabricant intégré de
composants (IDM), garantit la qualité et la sécurité de l’approvisionnement en appui des stratégies
d’électrification des constructeurs automobiles. Avec l’annonce récente de l’unité de fabrication de
substrats en SiC entièrement intégrée verticalement à Catane (Sicile) où la production devrait démarrer
en 2026, ST avance rapidement dans le but d’accompagner la transition rapide du marché vers l’e-mobilité
et une plus grande efficacité dans les applications industrielles.

Pour de plus amples informations sur le portefeuille SiC de ST, visitez le site www.st.com/sic-mosfets.

À propos de STMicroelectronics
Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous
maîtrisons toute la chaine d’approvisionnement des semiconducteurs avec nos sites de production de
pointe. En tant que fabricant intégré de composants, nous collaborons avec plus de 200 000 clients et
des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits, des solutions et des
écosystèmes qui répondent à leurs défis et opportunités, et à la nécessité de contribuer à un monde plus
durable. Nos technologies permettent une mobilité plus intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie
et de la puissance, ainsi que le déploiement à grande échelle d’objets autonomes connectés au cloud.
Nous sommes engagés pour atteindre notre objectif de devenir neutre en carbone sur les scopes 1 et 2,
et une partie du scope 3, d’ici 2027. Pour de plus amples informations, visitez le site www.st.com.

Pour plus d’informations, contacter :

RELATIONS AVEC LES INVESTISSEURS :
Céline Berthier
Tél : +41.22.929.58.12
celine.berthier@st.com

RELATIONS PRESSE :
Nelly Dimey
Mobile : 06.75.00.73.39
nelly.dimey@st.com